申请/专利权人：上海林众电子科技有限公司

申请日：2022-07-21

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN115498013B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/40;H01L21/266

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.01.03#实质审查的生效;2022.12.20#公开

摘要：一种功率芯片终结区的制备方法及终结区结构及功率芯片，制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；终结区包括边角区与平行区，所述平行区设置有第一P型环结构，所述边角区设置有第二P型环结构，第一、第二P型环结构位于非所述场氧化层区域。其技术方案的有益效果在于，通过终结区的平行区和边角区的结构设置，其中，P+接地环决定边角的第一个电场强度,可藉由第一个P型环P+接地环来调整的电场强度,使其设计可以使用最小的曲率,避开弯角造成的电力线拥挤使电场强度增大,其可以有效减少场终结区宽度进而减少芯片总面积降低成本。

主权项：1.一种功率芯片终结区的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成间隔设置的场氧化层；终结区包括边角区与平行区，所述平行区设置有第一P型环结构，所述边角区设置有第二P型环结构，第一、第二P型环结构位于所述N型衬底中非所述场氧化层区域；所述第二P型环结构与所述场氧化层交替间隔设置；所述第一、第二P型环在两个所述场氧化层中间露出的硅表面内呈线性设置；所述终结区与元胞区之间的第一个P+接地环在所述终结区的边角区与平行区的交汇处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海林众电子科技有限公司 一种功率芯片终结区的制备方法、终结区的结构及功率芯片

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