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【发明授权】一种宽频高阻抗高磁导率锰锌软磁铁氧体及其制备方法_天通控股股份有限公司_202311685603.5 

申请/专利权人:天通控股股份有限公司

申请日:2023-12-11

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117383924B

主分类号:C04B35/26

分类号:C04B35/26;C04B35/622;C04B35/64

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要:本发明属于磁性材料技术领域,本发明提供了一种宽频高阻抗高磁导率锰锌软磁铁氧体及其制备方法,该材料包含主成分和辅助成分,主成分为Fe2O3、ZnO、Mn3O4,辅助成分包括:纳米CaCO3、纳米Bi2O3、纳米Nb2O5、SiO2。该材料的制备方法包括配料、混合、预烧、研磨、造粒、压制成型和放电等离子烧结,通过主成分、辅助成分和工艺方法的整体控制,制备得到的软磁铁氧体具备高阻抗、高磁导率的特性。

主权项:1.一种宽频高阻抗高磁导率锰锌软磁铁氧体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:按照主成分配比进行配料,Fe2O3:50mol%~55mol%,ZnO:25mol%~28mol%,其余为Mn3O4;步骤2:将步骤1的配料进行湿法球磨混合;步骤3:预烧,对步骤2中所得混合料烘干后进行预烧,预烧温度为700℃~1000℃;步骤4:砂磨,将步骤3所得的预烧料中加入辅助成分:纳米CaCO3:300ppm~800ppm、纳米Bi2O3:200ppm~500ppm、纳米Nb2O5:100ppm~400ppm、SiO2:0ppm~200ppm,用珠磨机将其研磨,其中,用CuO或MoO3代替纳米Bi2O3作为辅助成分,CuO含量为100-400ppm,MoO3含量为200-500ppm;步骤5:通过造粒、研磨过筛成一定尺寸的颗粒;步骤6:压制成型,压制成环形生坯,密度为3.15gcm3~3.35gcm3;步骤7:烧结,采用放电等离子烧结技术,烧结升温速率为20℃min~50℃min,烧结温度在1300℃至1400℃,保温10min~20min,然后冷却至100℃出炉。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 天通控股股份有限公司 一种宽频高阻抗高磁导率锰锌软磁铁氧体及其制备方法

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