申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-06-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113517188B

主分类号：H01L21/308

分类号：H01L21/308

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开

摘要：本发明公开了一种采用多层掩模板的图形化工艺方法，包括：步骤一、在基底层上形成图形化层和多层掩模板层，最低层掩模板层之上包括至少一层等同掩模板层，等同掩模板层无法和基底层实现刻蚀选择；步骤二、从最顶层掩模板层开始往下依次进行图形化刻蚀并将图形向下依次转移，在图形区域的最低层掩模板层刻穿之前将各等同掩模板层都去除，使最低层掩模板层完全去除时，最低层掩模板层顶部不再包括任何等同掩模板层；步骤三、对图形化层进行图形化刻蚀并停止在基底层上；步骤四、去除剩余的各层掩模板层。本发明能大幅度减少或完全消除图形化过程中对基底层的损伤。

主权项：1.一种采用多层掩模板的图形化工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在基底层上形成图形化层，在所述图形化层上形成多层掩模板层，各层所述掩模板层之间的材料保证能实现刻蚀选择，最底层掩模板层的材料保证能实现对所述图形化层和所述基底层的刻蚀选择，所述最低层掩模板层之上包括至少一层等同掩模板层，所述等同掩模板层无法和所述基底层实现刻蚀选择；所述基底层的厚度为5nm以下；步骤二、从最顶层掩模板层开始往下依次进行图形化刻蚀并将图形向下依次转移，所述最顶层掩模板层以下各当前层掩模板层都以顶部的前一层掩模板层为掩膜进行图形化刻蚀，当所述当前层掩模板层为所述最低层掩模板层时，在图形区域的所述最低层掩模板层完全去除之前，将各所述等同掩模板层都去除，使得所述最低层掩模板层完全去除时，所述最低层掩模板层顶部不再包括任何所述等同掩模板层；步骤三、对所述图形化层进行图形化刻蚀并停止在所述基底层上；步骤四、去除剩余的各层所述掩模板层。

全文数据：

权利要求：

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