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【发明授权】低功耗的熔丝状态读取电路以及熔丝状态读取方法_北京中科格励微科技有限公司_202310961160.1 

申请/专利权人:北京中科格励微科技有限公司

申请日:2023-08-01

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117014003B

主分类号:H03K19/0175

分类号:H03K19/0175;H03K19/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2023.11.24#实质审查的生效;2023.11.07#公开

摘要:本发明提供了低功耗的熔丝状态读取电路以及熔丝状态读取方法,包括:状态比较电路,反相电路以及与状态比较电路相连的开关电路;状态比较电路通过基准电阻接收第一高电平信号,通过熔丝电阻接收第二高电平信号;状态比较电路,用于接收开关电路输出的偏置电压信号,导通第一高电平信号以及第二高电平信号比较基准电阻与熔丝电阻的阻值,输出比较结果信号;所述反相电路,用于将所述比较结果信号进行反相处理并输出;开关电路接入电流源得到偏置电压信号,开关电路接收第二电平的控制信号停止对状态比较电路输出偏置电压信号,可以实现在比较结束后,通过开关电路关闭偏置电压信号,可以关闭高电平信号对地回路,降低功耗。

主权项:1.一种低功耗的熔丝状态读取电路,其特征在于,包括:状态比较电路、反相电路以及与所述状态比较电路相连的开关电路;所述状态比较电路通过基准电阻接收第一高电平信号,通过熔丝电阻接收第二高电平信号;所述状态比较电路,用于接收开关电路输出的偏置电压信号,导通所述第一高电平信号以及所述第二高电平信号比较所述基准电阻与所述熔丝电阻的阻值,得到比较结果信号;所述反相电路,用于将所述比较结果信号进行反相处理并输出;所述开关电路接入电流源得到所述偏置电压信号,所述开关电路接收第二电平的控制信号停止对所述状态比较电路输出所述偏置电压信号;所述状态比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及第一电阻;所述第一PMOS管的源极通过所述基准电阻接收所述第一高电平信号,所述第二PMOS管的源极依次通过所述第一电阻以及所述熔丝电阻接收所述第二高电平信号;所述第一PMOS管的栅极与漏极对接,所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连;所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的源极均接地;所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连,所述第一NMOS管的栅极接收所述偏置电压信号;所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的漏极输出所述比较结果信号;所述反相电路包括第三PMOS管和第三NMOS管;所述第三PMOS管的源极与第三高电平信号相连,所述第三PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极相连,所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连;所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的栅极接收所述偏置电压信号;当所述第三PMOS管的栅极接收到低电平的比较结果信号时,将所述第三高电平信号作为增强的比较结果信号经由其漏极输出;当所述第三PMOS管的栅极接收到高电平的比较结果信号时,将地信号作为增强的比较结果信号经由其漏极输出;还包括传输电路;所述传输电路设置用于将所述比较结果信号进行稳压后传输;所述传输电路包括第一传输门、施密特触发反相器和第一反相器;所述第一传输门接收第一开关信号以及第二开关信号,所述第一传输门的输入端与所述第三NMOS管的漏极相连,所述第一传输门的输出端与所述施密特触发反相器的输入端相连;当所述第一开关信号为低电平,所述第二开关信号为高电平时,所述第一传输门开启;当所述第一开关信号为高电平,所述第二开关信号为低电平时,所述第一传输门关闭;所述施密特触发反相器的输出端与所述第一反相器的输入端相连,所述第一反相器的输出端将所述比较结果信号输出;还包括锁存电路;所述锁存电路,用于将所述传输电路内传输的比较结果信号锁存;所述锁存电路包括第二传输门和第二反相器;所述第二反相器的输入端与所述施密特触发反相器的输出端相连,所述第二反相器的输出端与所述第二传输门的输入端相连,所述第二传输门的输出端与所述施密特触发反相器的输入端相连;所述第二传输门接收第一开关信号以及第二开关信号,当所述第一开关信号为低电平,所述第二开关信号为高电平时,所述第二传输门关闭;当所述第一开关信号为高电平,所述第二开关信号为低电平时,所述第二传输门开启;还包括截止电路,用于将传输电路与比较电路进行隔离;所述截止电路包括第四PMOS管和第四NMOS管;所述第四PMOS管的源极接收所述第三高电平信号,所述第四PMOS管的栅极接收第一隔断信号,所述第四PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的栅极相连;所述第四NMOS管的源极接地,所述第四NMOS管的栅极接收第二隔断信号,所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连;所述第一隔断信号与所述第二隔断信号互为互补信号。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京中科格励微科技有限公司 低功耗的熔丝状态读取电路以及熔丝状态读取方法

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