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【发明授权】信号整形电路和数字电容隔离器_灵矽微电子(深圳)有限责任公司_202311029455.1 

申请/专利权人:灵矽微电子(深圳)有限责任公司

申请日:2023-08-16

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN116743118B

主分类号:H03K5/01

分类号:H03K5/01;H03H7/01

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2023.09.29#实质审查的生效;2023.09.12#公开

摘要:本发明涉及信号处理领域,具体涉及一种信号整形电路和数字电容隔离器。信号整形电路包括比较模块和包络检波器。所述比较模块包括相同的第一比较器和第二比较器,所述第一比较器的同相输入端与所述第二比较器的反相输入端连接,所述第一比较器的反相输入端与所述第二比较器的同相输入端连接,所述第一比较器的输出端以及所述第二比较器的输出端均与所述包络检波器连接。通过比较模块将输入的共模电压处理成两个相同的第一驱动信号直接传输至包络检波器,所述包络检波器将第一驱动信号解调还原成输出数据信号,解决了包络检波器数据传输时发生误判的问题,同时解决了第二级高通滤波结构占用面积较大造成的资源浪费。

主权项:1.一种信号整形电路,其特征在于,包括:比较模块和包络检波器;所述比较模块包括相同的第一比较器和第二比较器;所述第一比较器的同相输入端与所述第二比较器的反相输入端连接,所述第一比较器的反相输入端与所述第二比较器的同相输入端连接,所述第一比较器的输出端以及所述第二比较器的输出端均与所述包络检波器连接;所述比较模块,用于接收外部输入的两个共模电压,通过所述第一比较器和第二比较器将所述两个共模电压调制为两个相同的第一驱动信号,并将所述第一驱动信号传输至所述包络检波器;所述包络检波器,用于接收所述第一驱动信号,并根据所述第一驱动信号生成输出数据信号;所述包络检波器包括:电流控制单元、开关单元和信号生成单元;所述开关单元分别与所述电流控制单元以及所述信号生成单元连接,所述开关单元还与所述比较模块连接;所述电流控制单元,用于设置所述开关单元和所述信号生成单元的电流大小;所述开关单元,用于根据所述比较模块的驱动信号,产生控制电流信号并将所述控制电流信号传输至所述信号生成单元;所述信号生成单元,用于根据所述控制电流信号生成输出数据信号;所述电流控制单元包括:第一至第五MOS管;所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的源极同时与供电电源连接,所述第一MOS管的栅极同时与所述第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极以及所述第三MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的漏极接地,所述第二MOS管的漏极与第四MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的漏极与所述开关单元连接;所述第四MOS管的栅极同时与所述第四MOS管的漏极以及所述第五MOS管的栅极连接,所述第四MOS管的源极接地,所述第五MOS管的漏极以及源极与所述开关单元连接;所述开关单元包括:或门电路、第六至第八MOS管;所述或门电路的输入端与所述比较模块连接,所述或门电路的输出端与第六MOS管的栅极连接,所述第六MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极连接,所述第六MOS管的漏极同时与所述第五MOS管的漏极以及所述信号生成单元连接,第七MOS管的漏极同时与所述第五MOS管的源极以及所述第八MOS管的漏极连接,所述第七MOS管的栅极以及所述第八MOS管的栅极同时与所述比较模块连接,所述第七MOS管的源极以及所述第八MOS管的源极均接地;所述信号生成单元包括:施密特触发器和第一电容;所述施密特触发器的输入端同时与所述第六MOS管的漏极以及所述第一电容的一端连接,所述第一电容的另一端接地。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 灵矽微电子(深圳)有限责任公司 信号整形电路和数字电容隔离器

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