申请/专利权人：北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴)

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN115558993B

主分类号：C30B29/12

分类号：C30B29/12;C30B7/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2024.04.02#专利申请权的转移;2023.01.20#实质审查的生效;2023.01.03#公开

摘要：本发明涉及一种掺杂型零维钙钛矿单晶及其制备方法和应用，特别涉及到该掺杂型零维钙钛矿单晶在非接触式超稳定寿命测温系统中的应用，属于无铅钙钛矿单晶掺杂与温度传感技术领域。所述单晶荧光材料的化学式为Rb2In1‑xCl5·H2O:xSb3+，0＜x≤7.76％，在最佳掺杂量3.61％下，量子产率可达99.62％接近百分之百。该单晶材料发射明亮、稳定的650nm橙光，荧光寿命信号独立于激发功率与激发能量，在100K‑320K展现出优异的温度依赖线性相关性。这种基于可见光荧光寿命的测温系统，无需昂贵的信号扫系统，探测信号稳定，分辨率精度高，响应速度快，可非接触式测温，有利于复杂、高风险环境测温。

主权项：1.一种掺杂型零维钙钛矿单晶应用于被测物体表面温度的检测中，其特征在于进行检测的方法的步骤为：步骤一，将制备的单晶荧光材料以涂膜的形式附着于被测物体的表面；步骤二，通过出射信号源发射激发光至被测物体表面的单晶荧光材料膜上，然后光传感器接收反射荧光信号；步骤三，根据步骤二中的出射信号源和反射荧光信号建立理论模型： 其中，IPLt为t时刻的反射荧光信号的强度，B是标度系数，ν是激励调制频率，是指荧光衰减寿命；x为脉冲信号；步骤四，将步骤三得到的IPLt与激励轨迹的相位延迟Δф建立模型为： 步骤五，建立单晶荧光材料的荧光衰减寿命与温度T之间的映射关系，通过监测单晶荧光材料的衰减寿命来实时、动态的度量物体表面温度的变化；该掺杂型零维钙钛矿单晶的化学式记为Rb2In1-xCl5·H2O:xSb3+，x＝3.61％，荧光量子产率为99.62％；所述的掺杂型零维钙钛矿单晶的激发波长为240nm～380nm，发射波长为400nm～850nm。

全文数据：

权利要求：

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