申请/专利权人：温州核芯智存科技有限公司

申请日：2023-08-09

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN116723699B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00;H10N97/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.09.26#实质审查的生效;2023.09.08#公开

摘要：本发明设计存储芯片加工技术领域，公开了一种芯片加工方法及其芯片，包括在存储单元基片上制备立体电容孔并在其中沉积隔离层；通过在隔离层上沉积下电极并进行下电极隔离刻蚀；在对下电极隔离刻蚀后，将高介电材料和上电极连续沉积并通过无掩膜刻蚀。该芯片加工方法及其芯片，通过将高介电材料层的沉积，以及图案化集成在一起实现，避免后续蚀刻工艺，可能导致的高介电材料的污染，高介电材料层完成后，直接沉积氮化钛作为立体电容孔上电极，将高介电材料完全包裹，杜绝了后续制程可能出现的污染问题，充分发挥ALD设备功能，完成高介电材料层沉积后，利用改造ALD等离子体等功能，直接去除晶圆表面多余高介电材料层，实现一种设备两种用途。

主权项：1.一种芯片加工方法，其特征在于：包括，在孔径小于200nm的立体电容孔101上连续沉积隔离层102和下电极103并刻蚀，在下电极103上沉积高介电常数的铁电材料为高介电材料104，于高介电材料104上沉积上电极105并进行无掩膜刻蚀；高介电材料104为单独刻蚀或高介电材料104与上电极105同时刻蚀，避免高介电材料104与铝线板106同时刻蚀造成污染；通过原子层沉积设备腔和刻蚀气体的协同作用，去除晶圆表面的高介电薄膜，但保留立体电容孔101内的高介电薄膜层，无掩膜刻蚀的干刻工艺只刻蚀晶圆表面膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 温州核芯智存科技有限公司 一种芯片加工方法及其芯片

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