申请/专利权人：深圳捷力泰科技开发有限公司

申请日：2023-08-28

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220858384U

主分类号：H04R3/00

分类号：H04R3/00;H04R1/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本实用新型公开了一种低成本高抗静电、高抗干扰驻极体麦克风，包括FET场效应管，FET场效应管的栅极、源极和漏极三端分别连接第一电阻一端、第二电阻一端、第三电阻一端，其中：第一电阻另一端连接麦克风输入端拾音元件一端，麦克风输入端拾音元件另一端接地；第一电阻对输入电信号阻抗匹配，同时与FET场效应管的寄生电容组成输入信号低通滤波器；第二电阻另一端接地，所述第二电阻为下偏置电阻，调整FET静态工作点；第三电阻另一端连接滤波电容一端，滤波电容另一端接地，第三电阻与滤波电容组成输出信号低通滤波器。本实用新型具有高干扰效果，静电电压大大降低，FET内部有增加电容对静电泄放，达到高抗静电放电效果。

主权项：1.一种低成本高抗静电、高抗干扰驻极体麦克风，其特征在于，包括PCBA线路板（1）、塑环（2）、铜环（3）、背极板（4）、垫片（5）、膜片（6）、外壳（7）和防水网（8），所述外壳（7）内设置PCBA线路板（1），所述PCBA线路板（1）侧沿设置塑环（2）、铜环（3）、垫片（5）、膜片（6），所述PCBA线路板（1）两侧分别设置背极板（4）、防水网（8），所述PCBA线路板（1）包括FET场效应管，所述FET场效应管的栅极、源极和漏极三端分别连接第一电阻一端、第二电阻一端、第三电阻一端，其中：所述第一电阻另一端连接麦克风输入端拾音元件一端，所述麦克风输入端拾音元件另一端接地；所述第一电阻对输入电信号阻抗匹配，同时与FET场效应管的寄生电容组成输入信号低通滤波器；所述第二电阻另一端接地，所述第二电阻为下偏置电阻，调整FET静态工作点；所述第三电阻另一端连接滤波电容一端，所述滤波电容另一端接地，所述第三电阻与滤波电容组成输出信号低通滤波器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳捷力泰科技开发有限公司 一种低成本高抗静电、高抗干扰驻极体麦克风

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