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一种基于DGFM和CMT算法的天线阵列电磁辐射快速分析方法 

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申请/专利权人:重庆邮电大学

摘要:本发明涉及一种基于DGFM和CMT算法的天线阵列电磁辐射快速分析方法,属于电磁仿真技术领域。首先将天线阵列分组,分成强耦合组和弱耦合组;然后使用MoM对强耦合组阵元的电流进行计算,弱耦合组则利用DGFM对其电流进行修正。再者利用CMT将阻抗矩阵构建成特征值方程,提取主要模式的特征向量和特征值,通过主模的特征向量和特征值的线性组合去计算得到阵元的电流分布。本发明能快速的、准确的计算天线阵列的电磁辐射特性。该方法不仅易于实现,并且对于非相似阵也具有同样的适用性,因此适合处理大部分的天线阵列电磁辐射问题。

主权项:1.一种基于DGFM和CMT算法的天线阵列电磁辐射快速分析方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:S1:首先对天线阵列的所有阵元,使用三角形单元对阵列进行离散,获取天线阵的结构消息,在剖分得到的三角形网格上构造RWG基函数;再根据阵列的边界条件建立电场积分方程,利用RWG基函数对所建立的电场积分方程进行离散;S2:对天线阵列上每个阵元进行分析;通过分组,将间距小的阵元们分组成强耦合组,间距大的阵元们分组成弱耦合组;S3:将强耦合组通过MoM构建阻抗矩阵方程组,同时对弱耦合组中的阵元通过DGFM去修正电流分布;其中MoM表示矩量法,DGFM表示域格林函数法;S4:利用CMT算法将阻抗矩阵Z构建成广义特征方程组,并提取特征值和特征向量;其中CMT表示特征模理论;S5:将特征向量正交化,并提取特征模中的主模;利用特征值和特征向量的线性组合求解出最终的电流系数;S6:根据步骤S5所得结果,求解出天线阵列远区辐射特性;步骤S3具体包括:首先,将强耦合组通过MoM来计算阵元上的电流,假设强耦合组D’里共有Q个阵元与阵元t具有强耦合效应,则构建阻抗矩阵方程组为: 其中,Zij是以分析阵元t为参考阵元,所构成的强耦合组中第i个和第j个阵元之间的阻抗矩阵;J0t是第t个阵元对应的强耦合组中所求的电流系数,Vt是第t个阵元的馈电电压信息;然后,对于弱耦合组,通过DGFM对分析阵元t的电流进行修正,表达式为: 其中,Jt是阵元t上的电流系数,是利用DGFM对弱耦合组进行的电流系数修正项,N表示RWG基函数的个数;步骤S4中,利用CMT算法将所得到的阻抗矩阵Z构建成广义特征方程组,表达式为:XJ'm=λmRJ'm其中,Z=R+jX,X和R分别是阻抗矩阵Z的虚部和实部;J'm和λm分别是第m阶模式的特征电流和特征值;步骤S5中,通过将步骤S4得到的广义特征方程组,筛选出前M阶主模,并且通过特征值和特征向量的线性组合去得到阵元的电流系数为: 然后通过步骤S3~S5得到分析阵元t上的电流系数为:

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