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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种改善NORFlash编程及擦除的均匀性的方法，所述方法包括：提供NOR闪存单元，其包括存储部分，且所述存储部分包括位线组及至少两个SAS引出端，其中，各所述位线组包括预设数目的位线，并位于两个所述SAS引出端之间；对各所述位线施加电压以判断是否达到卡控值；针对未达到所述卡控值的所述位线，对其所对应的沟道宽度进行调整，且减小靠近所述SAS引出端的所述字线对应的沟道宽度，增大远离所述SAS引出端的所述字线对应的沟道宽度。通过本发明解决了现有的闪存器件编程与擦除均匀性差的问题。
主权项：1.一种改善NORFlash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：提供NOR闪存单元，其包括存储部分，且所述存储部分包括位线组及至少两个SAS引出端，其中，各所述位线组包括预设数目的位线，并位于两个所述SAS引出端之间；对各所述位线施加电压以判断是否达到卡控值；针对未达到所述卡控值的所述位线，对其所对应的沟道宽度进行调整，且减小靠近所述SAS引出端的所述字线对应的沟道宽度，增大远离所述SAS引出端的所述字线对应的沟道宽度。
全文数据：
权利要求：
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