申请/专利权人：江苏帝奥微电子股份有限公司

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN117672320B

主分类号：G11C16/26

分类号：G11C16/26;G11C16/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.10#授权;2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种低功耗EEPROM读取电路及其读取方法，包含第一EEPROM单元、第二EEPROM单元、差分电路和输出电路，第一EEPROM单元的输出端与差分电路的第一输入端连接，第二EEPROM单元的输出端与差分电路的第二输入端连接，差分电路的输出端与输出电路的输入端连接，输出电路的输出端输出信号OUT，第一EEPROM单元和第二EEPROM单元中任意一个EEPROM单元的浮栅MOS管保持导通状态且第一EEPROM单元和第二EEPROM单元的浮栅MOS管的浮栅电压存在电压差。本发明对EEPROM单元的工艺要求更低，降低了EEPROM的成本，而且EEPROM读取时不存在工作电流，降低了EEPROM的功耗。

主权项：1.一种低功耗EEPROM读取电路，其特征在于：包含第一EEPROM单元、第二EEPROM单元、差分电路和输出电路，第一EEPROM单元的输出端与差分电路的第一输入端连接，第二EEPROM单元的输出端与差分电路的第二输入端连接，差分电路的输出端与输出电路的输入端连接，输出电路的输出端输出信号OUT，第一EEPROM单元和第二EEPROM单元中任意一个EEPROM单元的浮栅MOS管保持导通状态且第一EEPROM单元和第二EEPROM单元的浮栅MOS管的浮栅电压存在电压差；所述差分电路包含PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10和延迟电路DELAY，PMOS管M5的源极作为差分电路的第一输入端，PMOS管M6的源极作为差分电路的第二输入端，PMOS管M5的漏极与PMOS管M6的栅极、NMOS管M7的漏极、NMOS管M8的栅极和NMOS管M9的漏极连接并作为差分电路的第一输出端A，PMOS管M6的漏极与PMOS管M5的栅极、NMOS管M8的漏极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M10的漏极连接并作为差分电路的第二输出端B，NMOS管M9的源极、NMOS管M7的源极、NMOS管M8的源极和NMOS管M10的源极接地，NMOS管M9的栅极和NMOS管M10的栅极连接延迟电路DELAY的输出端E，延迟电路DELAY的输入端连接控制信号ENB。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏帝奥微电子股份有限公司 一种低功耗EEPROM读取电路及其读取方法

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