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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2021-02-24
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN113013158B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开
摘要：本发明公开了一种栅约束NPN三极管型ESD器件及其实现方法，将现有栅约束硅控整流器中高浓度P型掺杂20右侧的所有结构全部去除，只保留所述高浓度P型掺杂20和左侧的高浓度N型掺杂28以及覆盖高浓度P型掺杂20和高浓度N型掺杂28之间第一低压N阱60上方的第一N型栅极40，以构成栅约束P‑i‑N二极管，然后将该栅约束P‑i‑N二极管以所述高浓度P型掺杂20为中轴线左右对称折叠而构成所述栅约束NPN三极管型ESD器件。
主权项：1.一种栅约束NPN三极管型ESD器件，其特征在于，所述栅约束NPN三极管型ESD器件包括：半导体衬底80；依次生成于所述半导体衬底80中的第一低压N阱60、低压P阱70以及第二低压N阱62；第二高浓度N型掺杂28置于所述第一低压N阱60上部，高浓度P型掺杂20置于所述低压P阱70上部，第一高浓度N型掺杂22置于所述第二低压N阱62上部，紧邻所述第二高浓度N型掺杂28的左侧设置浅沟道隔离层10，紧邻其右侧为所述第一低压N阱60的一部分，紧邻所述第一高浓度N型掺杂22的右侧设置浅沟道隔离层10，紧邻其左侧为所述第二低压N阱62的一部分；在所述第二高浓度N型掺杂28的上方、第一高浓度N型掺杂22的上方分别生成金属硅化物30，在紧邻第二高浓度N型掺杂28右侧的第一低压N阱60的上方设置第一N型栅极40，在紧邻所述第一高浓度N型掺杂22左侧的第二低压N阱62的上方设置第二N型栅极42；所述第二高浓度N型掺杂28上方的金属硅化物30引出电极组成该栅约束NPN三极管型ESD器件的阳极，在第一高浓度N型掺杂22的上方的金属硅化物30引出电极组成该栅约束NPN三极管型ESD器件的阴极，所述栅约束NPN三极管型ESD器件回滞效应的触发电压由栅长Lg决定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种栅约束NPN三极管型ESD器件及其实现方法
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