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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS，PNP型高压ESD器件包括P型集电极、P型发射极以及位于P型集电极和P型发射极之间的第一STI，第一STI的标准长度表示为L；第一STI的长度为PNP型高压ESD器件还包括多晶硅栅，多晶硅栅位于第一STI和P型发射极相邻的两端的上部区域。本发明通过对PNP型高压ESD器件结构的调整，实现了在LDMOS制造流程中不增加光罩的前提下获得较高的二次击穿电流It2，较低的导通电阻Ron及较低的二次击穿电压Vt2。通过本发明制作的PNP型高压ESD器件，二次击穿电流It2增加了约一倍，导通电阻Ron减小了约23，同时减小了器件的体积，极大的提高了器件的性能。
主权项：1.一种基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，包括P型集电极、P型发射极以及位于所述P型集电极和所述P型发射极之间的第一STI，所述第一STI的标准长度表示为L；其特征在于，所述第一STI的长度为所述PNP型高压ESD器件还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于所述第一STI和所述P型发射极相邻的两端的上部区域；所述标准长度的取值范围为1～2微米；所述PNP型高压ESD器件的工作电压的范围为40～65V；所述BCD工艺的节点范围为65～180nm；所述PNP型高压ESD器件还包括栅氧化层；所述栅氧化层位于所述多晶硅栅、所述第一STI和所述P型发射极之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS
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