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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种基于FDSOIMOSFET的ESD结构及其制备方法，属于导体器件制备及ESD防护领域，隔离结构和沟道区均位于SOI衬底的上表面；绝缘介质层形成于沟道区的外部上表面；栅极形成于绝缘介质层的外部上表面；离子注入一区为借助栅极进行自对准注入形成；一次侧墙结构形成于栅极和绝缘介质层的两侧；离子注入二区为借助一次侧墙结构进行自对准注入形成；二次侧墙结构形成于一次侧墙结构的两侧；源漏区为借助二次侧墙结构进行自对准注入形成。本发明通过调整多级结构掺杂类型和浓度，能够有效的调整开启电压和维持电压，进而有效调整ESD窗口，达到2000V及以上的抗ESD能力，满足多种ESD需求场景。
主权项：1.一种基于FDSOIMOSFET的ESD结构，其特征在于，包括SOI衬底（1）、隔离结构（2）、沟道区（3）、绝缘介质层（4）、栅极（5）、离子注入一区（6）、一次侧墙结构（7）、离子注入二区（8）、二次侧墙结构（9）、源漏区（10）；其中，所述隔离结构（2）和所述沟道区（3）均位于所述SOI衬底（1）的上表面；所述绝缘介质层（4）形成于所述沟道区（3）的外部上表面；所述栅极（5）形成于所述绝缘介质层（4）的外部上表面；所述离子注入一区（6）位于所述沟道区（3）的两侧；所述一次侧墙结构（7）形成于所述栅极（5）和所述绝缘介质层（4）的两侧且位于所述离子注入一区（6）的上方；所述离子注入二区（8）位于所述离子注入一区（6）的两侧；所述二次侧墙结构（9）形成于所述一次侧墙结构（7）的两侧，且位于所述离子注入二区（8）的上方；所述源漏区（10）位于所述离子注入二区（8）的两侧；所述离子注入一区（6）、所述离子注入二区（8）及所述源漏区（10）与所述沟道区（3）的掺杂类型相反；所述离子注入一区（6）的掺杂浓度小于所述离子注入二区（8），所述离子注入二区（8）的掺杂浓度小于所述源漏区（10）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种基于FDSOI MOSFET的ESD结构及其制备方法
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