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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有低输入电容的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置呈凹形结构的P型阱区，在P型阱区内壁形成呈凹形结构的绝缘介质层，并设置形成于所述绝缘介质层内以及所述N型源区上的源极金属层，得到在P型阱区上向下延伸的深源极结构，增大了栅极和源极之间的距离，降低了栅极与源极之间的电容，因而，降低了输入电容，有利于提高超结MOSFET器件的开关速度，进而降低超结MOSFET器件在开关过程中的损耗，并降低了超结MOSFET在电路使用中的能耗。
主权项：1.一种具有低输入电容的超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；形成于所述N型衬底的正面的P柱、N柱；其中，所述P柱与所述N柱相邻设置；形成于所述N柱上的栅极介质层、栅极多晶硅层，所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；形成于所述P柱上的P型阱区；其中，所述P型阱区呈凹形结构；形成于所述N柱和所述P柱的部分区域上的P型基区；所述P型基区位于所述栅极介质层与所述P型阱区之间；形成于所述P型基区上的N型源区；所述N型源区位于所述栅极介质层与所述P型阱区之间；形成于所述P型阱区内壁的绝缘介质层；所述绝缘介质层呈凹形结构；形成于所述绝缘介质层内以及所述N型源区上的源极金属层；所述源极金属层与所述N型源区和所述P型阱区接触；形成于所述N型衬底背面的漏极金属层；所述源极金属层的垂直部向所述P型阱区的凹槽内延伸；所述源极金属层的垂直部与所述栅极多晶硅层相对，且所述源极金属层的垂直部与所述栅极多晶硅层之间由所述P型基区、所述N型源区、所述绝缘介质层的侧部、所述P型阱区的侧部隔离；所述绝缘介质层的凹槽内的源极金属层中内嵌多个相互分离的横向绝缘层，相互分离的所述横向绝缘层之间填充N型多晶硅材料，所述横向绝缘层内设有通孔，用于沉积源极金属材料，使得在P型阱区的凹槽内形成向下延伸的深源极结构。
全文数据：
权利要求：
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