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申请/专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结沟槽MOSFET，涉及MOSFET技术领域，目的在于实现既可以保护其沟槽拐角等结构且在工艺上又易于实现，MOSFET的底部包括背面金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层；MOSFET的顶部包括层间介质和正面金属；MOSFET的中部包括多个碳化硅P+源区、多个碳化硅P型埋层、硅外延层、多个硅P+源区、多个硅P型基区、多个硅N+源区、栅氧化层和多个多晶硅栅。本发明具有性能更优且工艺层面的实现更容易的优点。
主权项：1.一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结沟槽MOSFET，其特征在于，MOSFET的底部包括背面金属1、碳化硅衬底2和碳化硅外延层3；MOSFET的顶部包括层间介质12和正面金属13；MOSFET的中部包括多个碳化硅P+源区、多个碳化硅P型埋层、硅外延层6、多个硅P+源区、多个硅P型基区、多个硅N+源区、栅氧化层10和多个多晶硅栅；所述碳化硅外延层3为凸形结构，所述碳化硅外延层3的顶部右侧的凹槽内设置第一碳化硅P+源区41和第一碳化硅P型埋层51，第一碳化硅P+源区41的左侧和第一碳化硅P型埋层51的右侧相接；所述碳化硅外延层3的顶部左侧的凹槽内设置第二碳化硅P+源区42和第二碳化硅P型埋层52，第二碳化硅P+源区42的右侧和第二碳化硅P型埋层52的左侧相接；第一碳化硅P+源区41的顶部设置第一硅P+源区71，第二碳化硅P+源区42的顶部设置第二硅P+源区72；所述硅外延层6的底部与所述碳化硅外延层3的顶部、第一碳化硅P型埋层51和第二碳化硅P型埋层52的顶部相接；所述硅外延层6为凹型结构，所述硅外延层6的右侧的顶部自下而上依次设置第一硅P型基区81和第一硅N+源区91，所述硅外延层6的左侧的顶部自下而上依次设置第二硅P型基区82和第二硅N+源区92；所述栅氧化层10设置在所述硅外延层6的凹槽内，第一多晶硅栅111和第二多晶硅栅112分别位于所述栅氧化层10内的右侧和左侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都蓉矽半导体有限公司 一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结沟槽MOSFET
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