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申请/专利权人：赛尼克公司
摘要：本实施方式提供如下的碳化硅锭及碳化硅晶片：在碳化硅锭的制造过程中，通过控制非活性气体的流量、反应容器的热特性来确保换算弹性模量、硬度等的机械特性。并且，本实施方式提供如下的碳化硅锭及晶片：如位错密度等的缺陷值降低，具有良好的质量。
主权项：1.一种碳化硅晶片制造方法，其特征在于，包括：准备步骤，在具有内部空间的反应容器中，隔开间隔配置原料物质和碳化硅晶种，生长步骤，通过调节上述内部空间的温度、压力及气氛来升华上述原料物质，并在上述碳化硅晶种上生长碳化硅锭，以及冷却步骤，冷却上述反应容器，并回收上述碳化硅锭；上述生长步骤在具有100sccm至300sccm的流量的非活性气体气氛中进行，上述冷却步骤在具有1sccm至250sccm的流量的非活性气体气氛中进行，上述反应容器的热导率为120WmK以下，上述碳化硅晶片制造方法还包括切割步骤，通过切割上述碳化硅锭来制得碳化硅晶片，对经过上述切割步骤的碳化硅晶片进行研磨及表面抛光处理的碳化硅晶片，包括一侧面和另一侧面，其中，上述一侧面，相比碳原子而言，在表面暴露更多的硅原子，上述另一侧面，相比硅原子而言，在表面暴露更多的碳原子，上述一侧面或上述另一侧面的换算弹性模量为300GPa至370GPa，上述一侧面或上述另一侧面的硬度为35GPa至48GPa，上述另一侧面的换算弹性模量Ec与上述一侧面的换算弹性模量Esi之比EcEsi为0.8至1.15，上述另一侧面的硬度Hc与上述一侧面的硬度His之比HcHis为0.85至1.15，上述换算弹性模量及上述硬度通过以10mN的载荷施加三角锥形状的压头的纳米压痕测试来测定，在上述纳米压痕测试中，测定除从上述碳化硅晶片的最外围边缘朝向中心方向占据10mm的宽度的环形区域之外的任意10个位置的值，上述反应容器的热导率为85WmK以上，在上述准备步骤中，上述反应容器还配置：绝热材料，包围上述反应容器，反应腔室，在内部设置上述反应容器，以及加热单元，设置于上述反应腔室的外部；上述绝热材料在2000℃的温度下的热导率为1.24WmK以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛尼克公司 碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件
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