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申请/专利权人：拉碧斯半导体株式会社
摘要：半导体装置包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、柱电极和掩埋层。第一半导体芯片包括形成在一个面的一个区域中的多个第一金属端子、形成在另一区域中的多个外部金属端子、以及包括填充其之间的氧化膜的接合层。第二半导体芯片包括形成在第一半导体芯片的一个面相对的相对面上的多个第二金属端子、以及包括设置在相对面上以填充其之间的氧化膜的接合层。通过将接合层彼此接合使得相应的金属端子彼此接触而将第二半导体芯片安装在第一半导体芯片上。柱电极形成在第一半导体芯片的一个面上方并通过金属膜设置在第一半导体芯片的外部金属端子上。掩埋层在第一半导体芯片的一个面上掩埋第二半导体芯片和柱电极。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一半导体芯片，包括多个第一金属端子、多个外部金属端子和接合层，所述多个第一金属端子形成在一个面的一个区域中，所述多个外部金属端子形成在所述一个面的另一区域中，所述接合层包括设置在所述一个面上以填充所述多个第一金属端子和所述多个外部金属端子之间的氧化膜；第二半导体芯片，包括多个第二金属端子和接合层，所述多个第二金属端子形成在所述第一半导体芯片的所述一个面相对的相对面上，所述接合层包括设置在所述相对面上以填充所述多个第二金属端子之间的氧化膜，通过将所述接合层彼此接合使得相应的多个第二金属端子接触形成在所述第一半导体芯片上的相应的多个第一金属端子而将所述第二半导体芯片安装在所述第一半导体芯片上；柱电极，形成在所述第一半导体芯片的所述一个面上方并通过金属膜设置在所述第一半导体芯片的外部金属端子上；和掩埋层，在所述第一半导体芯片的所述一个面上掩埋所述第二半导体芯片和所述柱电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉碧斯半导体株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
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