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申请/专利权人：矽磐微电子(重庆)有限公司;华润微电子控股有限公司
摘要：本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。所述半导体结构包括第一待封装结构、第二待封装结构、第一塑封层、第二塑封层和再布线层。第一待封装结构包括第一芯片，第一芯片的芯片正面设有多个焊垫。第二待封装结构至少包括一个电气元件。第一芯片与电气元件并列设置；第二待封装结构的厚度大于第一待封装结构的厚度。第一塑封层至少位于第一待封装结构背离芯片正面的表面及第二待封装结构背离芯片正面的表面。第二塑封层位于所述第一塑封层背离所述芯片正面的一侧；第二塑封层的杨氏模量大于第一塑封层的杨氏模量。再布线层位于第一待封装结构及第二待封装结构背离第二塑封层的表面，焊垫通过再布线层与电气元件电连接。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：第一待封装结构及第二待封装结构；所述第一待封装结构包括第一芯片，所述第一芯片包括芯片正面，所述芯片正面设有多个焊垫；所述第二待封装结构至少包括一个电气元件；所述第一芯片与所述电气元件并列设置；所述第二待封装结构的厚度大于所述第一待封装结构的厚度；第一塑封层，至少位于所述第一待封装结构背离所述芯片正面的表面及所述第二待封装结构背离所述芯片正面的表面；第二塑封层，位于所述第一塑封层背离所述芯片正面的一侧；所述第二塑封层的杨氏模量大于所述第一塑封层的杨氏模量；再布线层，所述再布线层位于所述第一待封装结构及所述第二待封装结构背离所述第二塑封层的表面，所述焊垫通过所述再布线层与所述电气元件电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽磐微电子(重庆)有限公司 华润微电子控股有限公司 半导体结构及半导体结构的制造方法
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