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申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要：本发明提供半导体器件加工方法及半导体器件。提供半导体基底；在半导体基底上成长外延层，所述外延层顺次包括P型外延区域、第一N型外延区域和第二N型外延区域，在所述第二N型外延区域上半导体器件；所述P型外延区域为硅锗外延层；所述P型外延区域重掺杂硼；所述第一N型外延区域为重掺杂N+外延层，所述第二N型外延区域为轻掺杂N‑外延层；对半导体器件进行刻蚀，刻蚀停止区域位于P型外延区域的上部。
主权项：1.一种半导体器件加工方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体基底；在半导体基底上成长外延层，所述外延层顺次包括P型外延区域、第一N型外延区域和第二N型外延区域，在所述第二N型外延区域上半导体器件；所述P型外延区域为硅锗外延层；所述P型外延区域重掺杂硼；所述第一N型外延区域为重掺杂N+外延层，所述第二N型外延区域为轻掺杂N-外延层；对半导体器件进行刻蚀，刻蚀停止区域位于P型外延区域的上部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 半导体器件加工方法及半导体器件
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