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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底；位线结构，位于所述衬底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；沟道，接触所述位线结构的上表面并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；上栅极结构，在所述第二方向上延伸并且围绕沿所述第二方向设置的所述沟道，所述上栅极结构在所述第一方向上间隔开；以及电容器结构，所述电容器结构包括：第一电容器电极，分别位于所述沟道上；电介质层，位于所述第一电容器电极上，所述电介质层包括铁电材料或反铁电材料；第二电容器电极，位于所述电介质层上；以及电容器板电极，位于所述第二电容器电极上，所述电容器板电极均在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；位线结构，所述位线结构位于所述衬底上，所述位线结构均在与所述衬底的上表面基本上平行的第一方向上延伸，并且在与所述衬底的所述上表面基本上平行并且与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；沟道，所述沟道接触所述位线结构的上表面并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；上栅极结构，所述上栅极结构均在所述第二方向上延伸并且围绕沿所述第二方向设置的所述沟道，所述上栅极结构在所述第一方向上彼此间隔开；以及电容器结构，所述电容器结构包括：第一电容器电极，所述第一电容器电极分别位于所述沟道上；电介质层，所述电介质层位于所述第一电容器电极上，所述电介质层包括铁电材料或反铁电材料；第二电容器电极，所述第二电容器电极位于所述电介质层上；以及电容器板电极，所述电容器板电极位于所述第二电容器电极上，所述电容器板电极均在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。
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