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申请/专利权人:福建省晋华集成电路有限公司
摘要:本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;沟槽隔离结构,设置在衬底中,与至少一个有源区相邻设置;栅极堆叠结构,设置于衬底上并与沟槽隔离结构接触,栅极堆叠结构中的第一部分位于沟槽隔离结构上,栅极堆叠结构中的第二部分位于有源区上;第一栅极侧墙,设置在沟槽隔离结构上,且与栅极堆叠结构直接接触;其中,第一栅极侧墙的最低点高于第一部分的最低点。上述半导体器件可以有效地避免漏电流的产生,进而可以改善半导体器件的电性能,同时利用上述沟槽隔离结构和栅极堆叠结构,还可以提高半导体器件的结构稳定性,进而可以器件良率。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底;沟槽隔离结构,设置在所述衬底中,与至少一个有源区相邻设置;栅极堆叠结构,设置于所述衬底上并与所述沟槽隔离结构接触,所述栅极堆叠结构中的第一部分位于所述沟槽隔离结构上,所述栅极堆叠结构中的第二部分位于所述有源区上;第一栅极侧墙,设置在所述沟槽隔离结构上,且与所述栅极堆叠结构直接接触;其中,所述第一栅极侧墙的最低点高于所述第一部分的最低点。
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百度查询: 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件
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