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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明涉及一种铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法，涉及高电子迁移率晶体管技术领域，所述铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极电极、漏极电极、栅结构、钝化层、第一通孔、第二通孔、第三通孔、源极接触点、漏极接触点和栅极接触点，所述栅结构自下至上分别由所述势垒层上的p‑GaN层、铁电薄膜层和栅极电极堆叠构成；本发明能够制备铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件，实现增强和耗尽模式的切换，具有非常大的阈值电压调谐范围，且随电压扫扫描范围和脉冲参数的变化具有逆时针滞后，能进一步提高射频性能。
主权项：1.一种铁电薄膜与p-GaN栅极堆叠的HEMT器件，包括衬底101，以及依次堆叠在衬底101上的成核层102、缓冲层103、沟道层104和势垒层105，其特征在于，还包括依次堆叠在势垒层105上的p-GaN层201、铁电薄膜层202和栅极电极203；覆盖于缓冲层103背离成核层102一侧上表面的源极电极106和漏极电极107，二者相对布置，并均沿其垂直方向依次贯穿沟道层104和势垒层105；所述源极电极106、漏极电极107、势垒层105、p-GaN层201、铁电薄膜层202和栅极电极203上覆盖有钝化层108；所述钝化层上端面设置有源极接触点1091、漏极接触点1093和栅极接触点1092，所述源极接触点1091、漏极接触点1093和栅极接触点1092与对应的源极电极106、漏极电极107和栅极电极203通过设置于钝化层108内的导电材料相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种铁电薄膜与p-GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法
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