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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种无帽层GaAsHEMT外延结构、GaAsHEMT器件及其制作方法。无帽层GaAsHEMT外延结构包括：AlGaAsGaAs异质结，包括层叠设置的GaAs沟道层和A1GaAs势垒层，所述GaAs沟道层和所述AlGaAs势垒层之间的界面区域形成有二维电子气沟道；本征GaAs保护层，层叠设置在所述AlGaAs势垒层上，所述本征GaAs保护层的厚度为2nm～3nm。本发明实施例提出的一种无帽层的GaAsHEMT器件的制作方法，通过优化欧姆金属组分和退火条件，获得了稳定且低接触电阻的欧姆接触。
主权项：1.一种无帽层GaAsHEMT外延结构，其特征在于，包括：A1GaAsGaAs异质结，包括层叠设置的GaAs沟道层和AlGaAs势垒层，所述GaAs沟道层和所述AlGaAs势垒层之间的界面区域形成有二维电子气沟道；本征GaAs保护层，层叠设置在所述AlGaAs势垒层上，所述本征GaAs保护层的厚度为2nm～3nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 无帽层GaAs HEMT外延结构、GaAs HEMT器件及其制作方法
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