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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和键区域；虚设有源图案，所述虚设有源图案位于所述键区域上；以及键图案，所述键图案位于所述虚设有源图案中。所述键图案包括在所述衬底的上部处凹陷的键单元。所述键单元包括：低于所述虚设有源图案的顶表面的底表面；以及围绕所述底表面的多个内侧表面。所述内侧表面包括第一内侧表面和与所述第一内侧表面相对的第二内侧表面。所述第二内侧表面的硅原子表面密度与所述第一内侧表面的硅原子表面密度之比率在大约0.9至大约1.1的范围内。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和键区域；虚设有源图案，所述虚设有源图案位于所述键区域上；以及键图案，所述键图案位于所述虚设有源图案中，其中，所述键图案包括在所述衬底的上部处凹陷的键单元，其中，所述键单元包括：低于所述虚设有源图案的顶表面的底表面；以及围绕所述底表面的多个内侧表面，其中，所述内侧表面包括第一内侧表面和与所述第一内侧表面相对的第二内侧表面，并且其中，所述第二内侧表面的硅原子表面密度与所述第一内侧表面的硅原子表面密度之比率在0.9至1.1的范围内。
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