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申请/专利权人：合肥欧益睿芯科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前GaAsHEMT器件栅极和沟道之间的寄生电容高的技术问题，提出一种GaAsHEMT器件及其制造方法、电子设备，所述方法包括：在GaAs外延片上沉积多晶硅；对有源区的预设位置处进行刻蚀；在有源区上依次沉积氮化硅和二氧化硅；对有源区上的二氧化硅进行抛光磨平处理，直至有源区非预设位置处氮化硅的上表面高度；在有源区上再次沉积多晶硅；对栅极位置处进行刻蚀；在栅极位置处制作T形栅极，并刻蚀掉再次沉积的多晶硅的剩余部分；在有源区上再次沉积氮化硅，使T形栅极周围具有保护层；在有源区非预设位置处进行源极和漏极的制作；在有源区沉积绝缘介质，绝缘介质覆盖有源区，并在T形栅极之下的两侧均形成空气隔离腔。

主权项：1.一种GaAsHEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在GaAs外延片上沉积多晶硅，形成第一半成品；S2，对所述第一半成品的有源区的预设位置处进行刻蚀，将所述预设位置处的多晶硅刻蚀掉后，继续向下刻蚀直至所述GaAs外延片的势垒层，形成第二半成品；S3，在所述第二半成品的有源区上依次沉积氮化硅和二氧化硅，形成第三半成品；S4，对第三半成品的有源区上的二氧化硅进行抛光磨平处理，直至有源区非预设位置处氮化硅的上表面高度，保留所述预设位置处的二氧化硅，形成第四半成品；S5，在所述第四半成品的有源区上再次沉积多晶硅，形成第五半成品；S6，对所述第五半成品的栅极位置处进行刻蚀，依次刻蚀掉所述栅极位置处再次沉积的多晶硅、二氧化硅、氮化硅后，继续向下刻蚀直至所述GaAs外延片的势垒层，形成第六半成品，其中，所述栅极位置处在所述预设位置处之内；S7，对所述第六半成品的栅极位置处进行进一步刻蚀，刻蚀掉所述GaAs外延片的势垒层，停止在所述GaAs外延片的停止层，形成第七半成品，其中，停止层的材料为Ga0.5In0.5P；S8，在所述第七半成品的栅极位置处制作T形栅极，并刻蚀掉再次沉积的多晶硅的剩余部分，形成第八半成品；S9，在所述第八半成品的有源区上再次沉积氮化硅，使所述T形栅极周围具有保护层，形成第九半成品；S10，在所述第九半成品的有源区非预设位置处进行源极和漏极的制作，形成第十半成品；S11，在所述第十半成品的有源区沉积绝缘介质，所述绝缘介质覆盖有源区，并在所述T形栅极之下的两侧均形成空气隔离腔。

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