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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请公开了一种刻蚀方法，该刻蚀方法应用于FinFET器件的制备工艺中，包括：在衬底上形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖衬底上的第一鳍式结构和第二鳍式结构，第一鳍式结构的高度高于所述第二鳍式结构的高度，第一绝缘层在衬底上不同区域的厚度不同，第一鳍式结构上依次形成有氧化层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；对第一绝缘层进行第一次平坦化处理，直至第一硬掩模层暴露；去除目标区域中的第一鳍式结构、第二鳍式结构和第一绝缘层，在目标区域形成沟槽；形成第二绝缘层，第二绝缘层填充沟槽；进行第二次平坦化处理，直至第一硬掩模层暴露。本申请通过在对鳍式结构进行刻蚀截断之前对第一绝缘层进行平坦化处理，在一定程度上降低了厚度负载效应。
主权项：1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述方法应用于FinFET器件的制备工艺中，所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述衬底上的第一鳍式结构和第二鳍式结构，所述第一鳍式结构的高度高于所述第二鳍式结构的高度，所述衬底上存在图形密度不同的区域，所述第一绝缘层在所述衬底上图形密度不同区域的厚度不同，所述第一鳍式结构上依次形成有氧化层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；对所述第一绝缘层进行第一次平坦化处理，去除不同密度图形区域中的第一鳍式结构、第二鳍式结构和第一绝缘层，直至所述第一硬掩模层暴露；去除目标区域中的第一鳍式结构、第二鳍式结构和第一绝缘层，在目标区域形成沟槽；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层填充所述沟槽；进行第二次平坦化处理，直至所述第一硬掩模层暴露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 刻蚀方法
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