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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种磁存储器件包括：i参考磁性图案和自由磁性图案，其相对于衬底的表面被垂直对齐地堆叠，以及ii隧道势垒图案，其在参考磁性图案与自由磁性图案之间延伸。参考磁性图案包括：第一钉扎图案和第二钉扎图案，第二钉扎图案在第一钉扎图案与隧道势垒图案之间延伸；以及交换耦合图案，其在第一钉扎图案与第二钉扎图案之间延伸并将第一钉扎图案和第二钉扎图案彼此反铁磁地耦合。第一钉扎图案包括第一磁性图案和第二磁性图案，第二磁性图案在第一磁性图案与交换耦合图案之间延伸。第一磁性图案和第二磁性图案中的一者包括：钴、铂、和包括Nb、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ti中的至少一者的第一非磁性元素，而第一磁性图案和第二磁性图案中的另一者包括钴。
主权项：1.一种磁存储器件，所述磁存储器件包括：参考磁性图案和自由磁性图案，所述参考磁性图案和所述自由磁性图案相对于衬底的表面被垂直对齐地堆叠；以及隧道势垒图案，所述隧道势垒图案在所述参考磁性图案与所述自由磁性图案之间延伸；其中，所述参考磁性图案包括：第一钉扎图案和第二钉扎图案，所述第二钉扎图案在所述第一钉扎图案与所述隧道势垒图案之间延伸；以及交换耦合图案，所述交换耦合图案在所述第一钉扎图案与所述第二钉扎图案之间延伸并将所述第一钉扎图案和所述第二钉扎图案彼此反铁磁地耦合；其中，所述第一钉扎图案包括第一磁性图案和第二磁性图案，所述第二磁性图案在所述第一磁性图案与所述交换耦合图案之间延伸；其中，所述第一磁性图案和所述第二磁性图案中的一者包括：钴、铂、以及第一非磁性元素，所述第一非磁性元素包括Nb、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ti中的至少一者；并且其中，所述第一磁性图案和所述第二磁性图案中的另一者包括钴。
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