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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明提供一种提高磁性存储器均一性的方法，包括：依据两片以上的晶圆的尺寸分布特性和均一性分布特性，确定晶圆上每个位置的均一性偏差随尺寸偏差变化的第一拟合关系；依据需要补偿的均一性分布特性和目标均一性分布特性，确定目标均一性分布特性中每个位置相对于需要补偿的均一性分布特性的对应位置的待补偿均一性偏差；依据待补偿均一性偏差与第一拟合关系，确定需要待补偿尺寸偏差；依据待补偿尺寸偏差，确定需要补偿的均一性分布特性对应的尺寸分布特性在完成补偿后的尺寸分布特性；依据补偿后的尺寸分布特性，确定光刻参数，以提高磁性存储器均一性。本发明能够有效提高晶圆面内的均一性特性。
主权项：1.一种提高磁性存储器均一性的方法，其特征在于，包括：依据两片以上的晶圆的尺寸分布特性和均一性分布特性，确定晶圆上每个位置的均一性偏差随尺寸偏差变化的第一拟合关系；依据需要补偿的均一性分布特性和目标均一性分布特性，确定目标均一性分布特性中每个位置相对于需要补偿的均一性分布特性的对应位置的待补偿均一性偏差；依据所述待补偿均一性偏差与所述第一拟合关系，确定需要待补偿尺寸偏差；依据所述待补偿尺寸偏差，确定需要补偿的均一性分布特性对应的尺寸分布特性在完成补偿后的尺寸分布特性；依据补偿后的尺寸分布特性，确定光刻参数，以提高磁性存储器均一性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 提高磁性存储器均一性的方法
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