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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种SRAM存储阵列和存储器，SRAM存储阵列包括：位单元阵列，包括多个阵列排布的位单元，每个位单元包括读位线，所述读位线用于在对所述位单元进行读操作时输出读电流；放大器，与所述读位线相连，用于对所述读位线输出的读电流起到放大作用，并输出放大电流；所述放大器包括放大输入端和放大输出端，所述放大输入端与所述读位线相连，所述放大输出端用于输出所述放大电流。本发明实施例在对存储器进行读操作时，有利于降低检测读电流的难度，提高了对读电流的检测敏感度，进而提高存储器的读取域度ReadMargin，相应优化了存储器的性能。
主权项：1.一种SRAM存储阵列，其特征在于，包括：位单元阵列，包括多个阵列排布的位单元，每个位单元包括读位线，所述读位线用于在对所述位单元进行读操作时输出读电流；放大器，与所述读位线相连，用于对所述读位线输出的读电流起到放大作用，并输出放大电流；所述放大器包括放大输入端和放大输出端，所述放大输入端与所述读位线相连，所述放大输出端用于输出所述放大电流。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 SRAM存储阵列和存储器
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