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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种能够改善元件的性能和可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在衬底中的单元区域隔离层，将单元区域与外围区域隔离；隔离有源区域，被单元区域隔离层围绕；位线结构，在单元区域上，包括单元导线；以及单元栅电极，在单元区域的衬底中，与单元导线交叉。
主权项：1.一种半导体存储器件，包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在所述衬底中的单元区域隔离层，将所述单元区域与所述外围区域隔离；隔离有源区域，被所述单元区域隔离层围绕；在所述单元区域上的位线结构，包括单元导线；以及单元栅电极，在所述单元区域的所述衬底中，与所述单元导线交叉。
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