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申请/专利权人：晓山公司
摘要：本发明涉及多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底，所述多层SOI衬底的制造方法的特征在于，包括：a准备包括单晶硅衬底、形成于单晶硅衬底上的氧化层、形成于氧化层上多个第1绝缘图案及第1单晶硅外延层的SOI衬底的步骤；b在SOI衬底上形成绝缘层的步骤；c在绝缘层上形成多个第2绝缘图案及第2单晶硅外延层的步骤。
主权项：1.一种多层SOI衬底的制造方法，包括：a1在第1单晶硅衬底的一面上形成第1硅剥离层的步骤；a2在第1硅剥离层上形成第1-1单晶硅外延层的步骤；a3在第1-1单晶硅外延层的一面上形成多个第1绝缘图案的步骤；a4在第1-1单晶硅外延层和第1绝缘图案上形成第1-2单晶硅外延层的步骤；a5对第1-2单晶硅外延层的一面进行平坦化的步骤；a6接合第1-2单晶硅外延层与表面上形成有氧化层的第2单晶硅衬底的步骤；a7通过向第1硅剥离层施加能量来分离并去除第1单晶硅衬底的步骤；a8从第1-1单晶硅外延层的另一面向一面方向将厚度缩减至形成有第1绝缘图案的部分的同时进行去除，从而形成SOI衬底的步骤；b在SOI衬底的第1-2单晶硅外延层以及第1绝缘图案上形成绝缘层的步骤；c在绝缘层上形成多个第2绝缘图案及第2-2单晶硅外延层的步骤，其中，步骤c包括：c1准备包括第3单晶硅衬底、形成于第3单晶硅衬底上的第2硅剥离层、形成于第2硅剥离层上的第2-1单晶硅外延层、形成于第2-1单晶硅外延层上的多个第2绝缘图案及第2-2单晶硅外延层的转印衬底的步骤；c2接合转印衬底的第2-2单晶硅外延层与步骤b中形成有绝缘层的SOI衬底的步骤；c3通过向第2硅剥离层施加能量来分离并去除第3单晶硅衬底的步骤；c4从第2-1单晶硅外延层的另一面向一面方向将厚度缩减至形成有第2绝缘图案的部分的同时进行去除的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晓山公司 多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底
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