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申请/专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：单晶压电层、氧化层和支撑衬底层；氧化层设置于支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层设置于氧化层远离支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层为旋转Y切压电晶体，单晶压电层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～+90°，n为正整数。本申请通过将旋转Y切压电晶体作为单晶压电衬底结构的中的单晶压电层，利用旋转Y切压电晶体的材料特性，以及单晶压电层通过氧化层与支撑衬底层的结合，能够有效实现声波或光波能量的局域化，不仅提高了器件的性能，还有助于实现器件的小型化和集成化，满足了现代通信系统对高性能、低功耗和高集成度的需求。
主权项：1.一种单晶压电衬底结构，其特征在于，包括：单晶压电层300、氧化层200和支撑衬底层100；所述氧化层200设置于所述支撑衬底层100的一侧表面上；所述单晶压电层300设置于所述氧化层200远离所述支撑衬底层100的一侧表面上；所述单晶压电层300为经过平坦化处理的旋转Y切压电晶体，在平坦化处理的条件相同时,所述单晶压电层300的去除速度与所述单晶压电层300的θ的绝对值成反比关系；所述单晶压电层300的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为-90°～+90°，n为正整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新硅聚合半导体有限公司 一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件
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