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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底的膜的衬底面内膜厚均匀性。具有将非同时进行a和b的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，a向处理室内衬底供给原料气体及非活性气体的工序，b向处理室内衬底供给反应气体的工序，a中从第1供给部向衬底供给在第1罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，从第2供给部向衬底供给在第2罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，在第1罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第1罐内的原料气体的浓度与在第2罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第2罐内的原料气体的浓度不同。
主权项：1.衬底处理方法，其具有通过将包含a和b的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，a为向衬底供给原料气体的工序，b为向所述衬底供给反应气体的工序，在a中，向所述衬底供给在第1罐内积存的所述原料气体及非活性气体中的至少任一者，并且，向所述衬底供给在第2罐内积存的所述原料气体及非活性气体中的至少任一者，使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的量与在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述原料气体的量不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
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