买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

摘要：本发明公开一种芯片扇出封装结构中衬底的加工方法，衬底为碳化硅衬底，加工方法包括：在碳化硅衬底上旋涂光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影，使光刻胶层图案化；基于图案化的光刻胶层，在碳化硅衬底上沉积金属掩膜层；去除光刻胶层；基于金属掩膜层，刻蚀碳化硅衬底，在碳化硅衬底上形成芯片容纳腔；去除金属掩膜层；其中，在刻蚀碳化硅衬底时，采用的上电极功率大于或等于1400W、下电极功率大于或等于350W，采用的刻蚀气体包括溴化氢气体、六氟化硫气体、氧气，且溴化氢气体在刻蚀气体中的占比大于或等于80％。采用上述技术方案可以解决目前刻蚀芯片容纳腔的过程中，腔室的底部和侧部容易形成微沟槽或底部圆角，对芯片放置工作产生不利影响的问题。

主权项：1.一种芯片扇出封装结构中衬底的加工方法，其特征在于，所述衬底为碳化硅衬底，所述加工方法包括：在所述碳化硅衬底上旋涂光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，使所述光刻胶层图案化；基于图案化的所述光刻胶层，在所述碳化硅衬底上沉积金属掩膜层；去除所述光刻胶层；基于所述金属掩膜层，刻蚀所述碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底上形成芯片容纳腔；去除所述金属掩膜层；在所述去除所述金属掩膜层之后，还包括如下任一者：在所述芯片容纳腔内固定芯片，形成第一中间件；在所述第一中间件上形成RDL线路，所述RDL线路与所述芯片电连接；减薄所述第一中间件中的所述碳化硅衬底的厚度；在所述第一中间件上RDL线路所在的表面固定贴合层，形成第二中间件；在所述碳化硅衬底上刻蚀容纳孔，所述容纳孔自所述第二中间件中背离所述贴合层的表面延伸至所述贴合层，在刻蚀所述容纳孔的过程中，所述第二中间件放置于卡盘上，所述贴合层与所述卡盘接触；在所述芯片容纳腔内固定芯片，形成第一中间件；在所述第一中间件上形成RDL线路，所述RDL线路与所述芯片电连接；减薄所述第一中间件中的所述碳化硅衬底的厚度；在所述第一中间件上背离所述RDL线路的表面固定贴合层，形成第二中间件；在所述碳化硅衬底上刻蚀容纳孔，所述容纳孔自所述第二中间件中背离所述贴合层的表面延伸至所述贴合层，且所述容纳孔避让所述RDL线路，在刻蚀所述容纳孔的过程中，所述第二中间件放置于卡盘上，所述贴合层与所述卡盘接触；在所述芯片容纳腔内固定芯片，形成第一中间件；在所述第一中间件上形成RDL线路，所述RDL线路与所述芯片电连接；在所述碳化硅衬底上刻蚀容纳孔，所述容纳孔避让所述RDL线路，且所述容纳孔为盲孔，所述容纳孔的一端位于所述第一中间件中所述RDL线路所在的表面，所述容纳孔的另一端延伸至所述芯片背离所述RDL线路的一侧；减薄所述第一中间件中的所述碳化硅衬底的厚度，直至所述容纳孔成为贯穿孔；其中，在刻蚀所述碳化硅衬底时，采用的上电极功率大于或等于1400W、下电极功率大于或等于350W，采用的刻蚀气体包括溴化氢气体、六氟化硫气体、氧气，且所述溴化氢气体在所述刻蚀气体中的占比大于或等于80%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 芯片扇出封装结构中衬底的加工方法