龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
摘要：本公开提供了一种存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质，其中，所述存储器装置的操作方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，位于所述衬底内的深N阱区，和位于所述深N阱区内的P阱区，以及位于所述P阱区中的多个晶体管结构，所述晶体管结构包括栅极，以为分别位于所述栅极两侧的源极和漏极；对所述栅极的端口施加第一电压，对所述深N阱区的端口施加第二电压，以及对所述P阱区的端口施加第三电压；其中，当执行第一操作时，所述第一电压等于0，所述第二电压为正电压，所述第三电压为负电压；当执行第二操作时，所述第一电压为正电压，所述第二电压为正电压，所述第三电压为正电压。
主权项：1.一种存储器装置的操作方法，其特征在于，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，位于所述衬底内的深N阱区，和位于所述深N阱区内的P阱区，以及位于所述P阱区中的多个晶体管结构，所述晶体管结构包括栅极，以为分别位于所述栅极两侧的源极和漏极；对所述栅极的端口施加第一电压，对所述深N阱区的端口施加第二电压，以及对所述P阱区的端口施加第三电压；其中，当执行第一操作时，所述第一电压等于0，所述第二电压为正电压，所述第三电压为负电压；当执行第二操作时，所述第一电压为正电压，所述第二电压为正电压，所述第三电压为正电压，其中，所述第二操作为初始化操作；通过下列公式1对所述第一操作进行说明： 其中，在公式1中，Vth为阈值电压，Vth0为零偏置条件下的阈值电压，γ为摆幅系数，为表面势垒高度，VSB为源漏极与衬底之间的反向电压，即，VSB＝Vs-VB，其中，第三电压等于衬底电压VB，当衬底电压VB为负压，即VB下降时，会使VSB增大，从而增大了阈值电压Vth；通过下列公式2对所述第二操作进行说明： 其中，公式2中的Id为漏极电流，为晶体管的宽长比，μn为电子迁移率，Cox为氧化层电容，VGS为栅源电压，Vth为阈值电压，VDS为漏源电压；结合公式1，当衬底电压VB为正压时，阈值电压Vth减小，在公式2中，当阈值电压Vth减小时，漏极电流Id增大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门半导体工业技术研发有限公司 存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号