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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统，其中，半导体结构包括：堆叠结构；堆叠结构包括堆叠设置的第一堆叠层和第二堆叠层；堆叠结构中设置有第一区域以及环绕第一区域的第二区域；第一区域的第一表面与第二区域的第一表面共面；填充结构；填充结构位于第二区域的第二表面；第二表面与第二区域的第一表面分别为第二区域在第一方向上相对设置的两个面；第一方向平行于堆叠结构的叠层延伸方向。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠结构；所述堆叠结构包括堆叠设置的第一堆叠层和第二堆叠层；所述堆叠结构中设置有第一区域以及环绕所述第一区域的第二区域；所述第一区域的第一表面与所述第二区域的第一表面共面；填充结构；所述填充结构位于所述第二区域的第二表面；所述第二表面与所述第二区域的第一表面分别为所述第二区域在第一方向上相对设置的两个面；所述第一方向平行于所述堆叠结构的叠层延伸方向。
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百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统
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