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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：一种用以形成存储器阵列的方法包括在衬底上方形成包括导体材料的层。包括蚀刻停止材料的牺牲岛直接形成于包括所述导体材料的所述层的所述导体材料上方。包括垂直交替的绝缘层及字线层的堆叠形成于所述牺牲岛及包括所述导体材料的所述层上方。进行蚀刻穿过所述绝缘层及所述字线层而到所述牺牲岛的个别牺牲岛的所述蚀刻停止材料以形成具有包括所述蚀刻停止材料的个别基底的通道开口。通过所述通道开口的个别通道开口移除所述牺牲岛以使所述个别通道开口延伸到包括所述导体材料的所述层。通道材料形成于到包括所述导体材料的所述层的所述延伸通道开口中。所述通道材料与包括所述导体材料的所述层的所述导体材料电耦合。本发明揭示与方法无关的结构。
主权项：1.一种用以形成存储器阵列的方法，其包括：在衬底上方形成包括导体材料的层；直接在包括所述导体材料的所述层的所述导体材料上方形成包括蚀刻停止材料的牺牲岛；在所述牺牲岛及包括所述导体材料的所述层上方形成包括垂直交替的绝缘层及字线层的堆叠；蚀刻穿过所述绝缘层及所述字线层而到所述牺牲岛的个别牺牲岛的所述蚀刻停止材料以形成具有包括所述蚀刻停止材料的个别基底的通道开口；通过所述通道开口的个别通道开口移除所述牺牲岛以使所述个别通道开口延伸到包括所述导体材料的所述层；在到包括所述导体材料的所述层的延伸通道开口中形成通道材料，所述通道材料与包括所述导体材料的所述层的所述导体材料电耦合；在形成所述牺牲岛之前，在包括所述导体材料的所述层上方形成包括绝缘体材料的层，所述绝缘体材料具有与所述蚀刻停止材料的组成不同的组成；在形成所述堆叠之前，在包括所述绝缘体材料的所述层上方形成导体层；在包括所述绝缘体材料的所述层上方的所述导体层中且在包括所述绝缘体材料的所述层中形成所述牺牲岛；及其中在所述移除之前，所述牺牲岛在直径上个别地大于所述个别通道开口，所述移除在包括所述绝缘体材料的所述层中及在所述导体层中形成环形凹部，所述环形凹部径向向外突出，且进一步包括在形成所述通道材料之前在所述环形凹部中形成电荷阻挡材料，且其中所述环形凹部中未形成所述通道材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 存储器阵列及用以形成存储器阵列的方法
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