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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请用以制备太阳能电池的硅片及其制备方法和光电器件，涉及晶硅太阳能电池技术领域。用以制备太阳能电池的硅片的制备工艺为：第一次抛光→第一次制绒→第二次抛光→第二次制绒，对绒面的形貌结构进行升级优化，最大程度去除晶硅切割的损伤层，增加金字塔数量，增强正面的陷光效果，提升短路电流Isc；提升正面钝化膜沉积的均匀性及加强钝化效果，提升开路电压Voc；同时也增加了与金属电极的接触面积，降低金属区的接触电阻，从而提升电池的填充因子FF。
主权项：1.用以制备太阳能电池的硅片的制备方法，其特征在于，包括：提供硅片；对硅片进行第一次抛光，得到一次抛光的硅片；对一次抛光的硅片进行第一次制绒，用以形成第一金字塔绒面结构，得到一次制绒的硅片；对一次制绒的硅片进行第二次抛光，用以对第一金字塔绒面结构进行削顶，得到二次抛光的硅片；对二次抛光的硅片进行第二次制绒，用以在第一金字塔绒面结构的顶部及第一金字塔绒面结构间的连接处形成第二金字塔绒面结构，即得所述用以制备太阳能电池的硅片；其中，所述第二金字塔绒面结构的塔底边长小于所述第一金字塔绒面结构的塔底边长，所述第二金字塔绒面结构的塔高小于所述第一金字塔绒面结构的塔高。
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权利要求：
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