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异质结太阳能电池及其制备方法 

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申请/专利权人:天合光能股份有限公司

摘要:本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤:对硅基底进行清洗制绒处理;在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层;在正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层;在背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层;采用RPD设备在P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层,利用PVD设备在背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜;利用PVD设备在N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层,并在正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜;以及分别制备背面电极、正面电极。本申请可以有效增加RPD与PVD结合设备的正常运行时间以及有效运行时间,增加设备有效产能,降低电池制造成本。

主权项:1.一种异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:对硅基底进行清洗制绒处理;在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层;在硅基底的正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层;在硅基底的背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层;采用RPD设备在所述P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层,利用PVD设备在所述背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜;其中,所述背面含铟TCO种子层的厚度为1nm~20nm,所述背面无铟TCO薄膜的厚度为80nm~120nm;利用PVD设备在所述N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层,并在所述正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜;以及在所述背面无铟TCO薄膜上制备背面电极以及在所述正面无铟TCO薄膜上制备正面电极。

全文数据:

权利要求:

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