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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽超结MOSFET及其制备方法、芯片，一方面通过在沟槽栅底部引入N型缓冲层，来提高沟槽超结MOSFET的耐压值，降低沟槽栅底部N型硅的电场集中；另一方面，通过在P柱和N柱之间引入绝缘介质层，来承担P柱和N柱之间PN结的电场集中，从而优化整个器件的电场分布，达到降低沟槽栅底部电场集中的目的。本申请基于这两方面的协同配合，有效降低了沟槽超结MOSFET沟槽栅底部的电场集中，解决了目前的沟槽超结MOSFET存在的沟槽栅底部电场集中的问题，提高了沟槽超结MOSFET的栅压稳定性，进而提高了器件的整体稳定性。
主权项：1.一种沟槽超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；形成于所述N型衬底的正面的P柱、绝缘介质层以及N柱；其中，所述绝缘介质层位于所述N柱与所述P柱之间；N型缓冲层，形成于所述N柱和所述绝缘介质层上；P型基区，形成于所述N型缓冲层上；N型源区，形成于所述P型基区上；P型阱区，形成于所述P柱上；栅极介质层和栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述N型缓冲层上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层，并与所述P型基区和所述N型源区在深度方向上接触，使所述P型基区位于所述栅极介质层与所述P型阱区之间；源极层，形成于所述N型源区、所述P型阱区以及所述栅极介质层上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面；所述绝缘介质层的宽度在所述漏极层向所述源极层的方向上逐渐增加。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 沟槽超结MOSFET及其制备方法、芯片
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