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申请/专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：在半导体衬底的背面图形化以形成第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域形成有第一本征i层和n型掺杂层，n型掺杂层为掺杂有第VA族元素的掺氧微晶硅层；形成第二本征i层和p型掺杂层，p型掺杂层为掺杂有第ⅢA族元素的非晶或微晶硅层；在第二本征i层和p型掺杂层上形成图形化的掩膜层，使第一掺杂区域上的第二本征i层和p型掺杂层裸露出，去除裸露的第二本征i层和p型掺杂层并保留第一本征i层和n型掺杂层。本发明可以简化制备工艺，减少由于隔离层进入腔体引起的污染风险，减少增加或去除隔离层的繁琐步骤。
主权项：1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底的背面图形化以形成交错排列的第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域形成有第一本征i层和n型掺杂层，其中所述第一本征i层为不掺氧的非晶硅层，所述n型掺杂层为掺杂有第VA族元素的掺氧微晶硅层；在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域上形成第二本征i层和p型掺杂层，其中所述第二本征i层为不掺氧的非晶硅层，所述p型掺杂层为掺杂有第ⅢA族元素的非晶或微晶硅层；在所述第二本征i层和p型掺杂层的表面制备掩膜，曝光显影，形成图形化的掩膜层；所述图形化的掩膜层裸露出所述第一掺杂区域上的所述第二本征i层和p型掺杂层；采用化学刻蚀方式除去裸露在外的所述第二本征i层和p型掺杂层，所述第二本征i层和p型掺杂层的刻蚀速率大于所述n型掺杂层的刻蚀速率，以使位于所述第二本征i层和p型掺杂层下方的所述第一本征i层和n型掺杂层被保留；其中，所述化学刻蚀采用碱液进行刻蚀；去除所述图形化的掩膜层，在所述第二掺杂区域形成有所述第二本征i层和p型掺杂层。
全文数据：
权利要求：
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