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申请/专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司
摘要：一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括位于硅衬底背面的P型掺杂结构、位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区、位于所述P型掺杂结构背面的第一电极、位于所述N型掺杂结构背面的第二电极，其特征在于，所述间隔区自硅衬底的背面向正面凹陷设置，且所述间隔区朝向所述硅衬底的表面为平面。本发明的太阳能电池，位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区的表面为平面，该区域的钝化效果好，在其他结构不变的前提下，可以将电池效率提高0.1％～0.2％。
主权项：1.一种太阳能电池，包括硅衬底，位于硅衬底背面的P区、N区、位于P区和N区之间的间隔区、位于P区背面的第一电极、位于N区背面的第二电极，其特征在于，所述间隔区自硅衬底的背面向正面凹陷设置，且所述间隔区朝向所述硅衬底的表面的塔基尺寸为15μm～30μm，或所述间隔区朝向所述硅衬底的表面的粗糙度不大于10nm。
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百度查询： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 扬州阿特斯太阳能电池有限公司 太阳能电池及其制备方法
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