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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明涉及二维材料异质结构的制备技术，具体为一种石墨烯六方氮化硼异质结阵列的制备方法，适用于制备图案可控、界线具有原子级尖锐的石墨烯六方氮化硼异质结阵列。基于高质量的单层或少数层单晶石墨烯，采用聚焦激光束对其刻蚀形成缺陷，再利用替换反应从缺陷处将石墨烯外延转化为六方氮化硼，转化后的六方氮化硼保持与石墨烯同等的高质量，并形成具有原子级尖锐的异质结分界线；此外，经过聚焦激光束刻蚀石墨烯表面形成缺陷阵列，能够转化形成墨烯六方氮化硼异质结阵列。本发明无需使用光刻技术即可形成异质结阵列，能够减少二维材料制备过程中的光刻胶污染，并保证平面异质结具有原子级尖锐的分界线。
主权项：1.一种石墨烯六方氮化硼异质结阵列的制备方法，其特征在于，基于高质量的单层或少数层单晶石墨烯，采用聚焦激光束对其刻蚀形成缺陷，再利用替换反应从缺陷处将石墨烯外延转化为六方氮化硼，形成原子级尖锐分界线的石墨烯六方氮化硼平面异质结阵列。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种石墨烯/六方氮化硼异质结阵列的制备方法
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