龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京理工大学
摘要：本发明公开了一种CdIn2S4ZnS异质结光阳极及其制备方法。所述方法通过在导电玻璃基底上先采用水热法制备CdIn2S4薄膜，随后在CdIn2S4薄膜上采用化学浴沉积法复合一层ZnS薄膜，制得CdIn2S4ZnS异质结光阳极。本发明的制备方法简单，CdIn2S4ZnS异质结光阳极优化了界面电荷转移效率，显著提升了光生载流子的分离和传输效率，在1.23VvsRHE下的光电流密度达到2.52mAcm2，是原始CdIn2S4光阳极的两倍以上，在光电催化水分解领域具有应用前景。
主权项：1.CdIn2S4ZnS异质结光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将硝酸镉、硝酸铟、硫脲加入水中，搅拌混合均匀得到前驱体溶液，将洁净的导电玻璃的导电面朝下斜置于前驱体溶液中，在200±20℃下进行水热反应，反应结束后，洗涤并干燥，获得CdIn2S4光阳极；（2）将氯化锌、硫代乙酰胺加入水中，搅拌混合均匀得到前驱体溶液，然后将CdIn2S4光阳极沉积有CdIn2S4薄膜的一面朝下斜放入前驱体溶液中，在60±5℃下加热6±0.5h进行化学浴沉积，沉积结束后，洗涤并干燥，获得CdIn2S4ZnS异质结光阳极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 CdIn2S4/ZnS异质结光阳极及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号