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申请/专利权人：天津工业大学
摘要：本申请公开了一种基于二维材料的异质结、自旋霍尔器件及其纳米振荡器，异质结包括自由层、中间层以及极化层。所述自由层的材料为二维铁磁性材料。所述中间层的材料为二维超导材料。所述极化层的材料为二维拓扑材料。其中，沿x轴方向，所述自由层、所述中间层以及所述极化层依次堆叠放置。在本申请中，通过自由层、中间层以及极化层的材料为二维材料，以使得沿x轴方向，异质结的厚度可以较薄，以使得在自旋轨道力矩效应存储器正常运转的情况下，提升自旋轨道力矩效应存储器的响应速度，提高自旋轨道力矩效应存储器的工作效率，降低功耗。
主权项：1.一种基于二维材料的异质结，其特征在于，包括：自由层，所述自由层的材料为二维铁磁性材料；中间层，所述中间层的材料为二维超导材料；极化层，所述极化层的材料为二维拓扑材料；其中，沿x轴方向，所述自由层、所述中间层以及所述极化层依次堆叠放置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津工业大学 基于二维材料的异质结、自旋霍尔器件及其纳米振荡器
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