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申请/专利权人：成都蓉矽半导体有限公司

摘要：本发明提供了一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结MOSFET，涉及MOSFET器件技术领域，目的是实现便于调节体二极管导通损耗和反向恢复损耗比例的MOSFET结构，MOSFET的底部包括背面金属、N型碳化硅衬底和N型碳化硅外延层；MOSFET的中部包括多个P型掺杂碳化硅源区、多个P型掺杂碳化硅埋层、多个P型掺杂硅源区、多个P型掺杂硅井区、多个N型掺杂硅源区、多个硅二极管通道和N型硅外延层；MOSFET的顶部包括层间介质、第一多晶硅栅、第二多晶硅栅、源极金属和第一多晶硅栅欧姆接触。本发明具有不需要改变器件版图即可实现调节体二极管导通损耗和反向恢复损耗比例的优点。

主权项：1.一种集成高速续流二极管的碳化硅异质结MOSFET，其特征在于，MOSFET的底部包括背面金属1、N型碳化硅衬底2和N型碳化硅外延层3；MOSFET的中部包括多个P型掺杂碳化硅源区、多个P型掺杂碳化硅埋层、多个P型掺杂硅源区、多个P型掺杂硅井区、多个N型掺杂硅源区、多个硅二极管通道和N型硅外延层10；MOSFET的顶部包括层间介质11、第一多晶硅栅121、第二多晶硅栅122、源极金属13和第一多晶硅栅121欧姆接触14；N型碳化硅外延层3为凸字形，第一P型掺杂碳化硅埋层51和第一P型掺杂碳化硅源区41位于N型碳化硅外延层3右侧凹槽内，且第一P型掺杂碳化硅埋层51的右侧和第一P型掺杂碳化硅源区41的左侧相接，第二P型掺杂碳化硅埋层52和第二P型掺杂碳化硅源区42位于N型碳化硅外延层3左侧凹槽内，且第一P型掺杂碳化硅埋层51的左侧和第一P型掺杂碳化硅源区41的右侧相接；所述N型硅外延层10的底部与所述N型碳化硅外延层3凸起部分的顶部、第一P型掺杂碳化硅埋层51顶部左侧和第二P型掺杂碳化硅埋层52顶部右侧相接；第一P型掺杂硅源区61设置在第一P型掺杂碳化硅源区41的顶部，第二P型掺杂硅源区62设置在第二P型掺杂碳化硅源区42的顶部；第一硅二极管通道91设置在N型硅外延层10和第一P型掺杂硅源区61之间，第一硅二极管通道91的底部与第一P型掺杂碳化硅埋层51顶部右侧相接，第一P型掺杂硅井区71设置在第一硅二极管通道91的顶部且与N型硅外延层10和第一P型掺杂硅源区61相接，第一P型掺杂硅井区71右上凹槽内设置第一N型掺杂硅源区81；第二硅二极管通道92设置在N型硅外延层10和第二P型掺杂硅源区62之间，第二硅二极管通道92的底部与第二P型掺杂碳化硅埋层52顶部左侧相接，第二P型掺杂硅井区72设置在第二硅二极管通道92的顶部，第二P型掺杂硅井区72左上凹槽内设置第二N型掺杂硅源区82。

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