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申请/专利权人:无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要:本发明公开了一种提高碳化硅沟槽刻蚀精度的刻蚀装置,包括处理箱,所述处理箱上端连接有用于引入刻蚀气体的进气管,所述处理箱内部上端安装有气体导入系统,所述气体导入系统包括安装在处理箱内部上端的混均气箱,所述混均气箱上端与进气管连通,所述混均气箱下端连接有与阵列设置的沟槽对应的导管一,所述导管一下端连接有均压箱,所述均压箱下端连接有导管二,所述导管二下端连接有矩形的刻蚀气流罩,所述刻蚀气流罩的四个侧壁均安装有气体抽吸系统,从而能够避免混合气体混入相邻的刻蚀气流罩区域处,避免相邻的刻蚀气流罩排出的刻蚀气体的浓度值、均匀性受到影响,进而提升碳化硅上每一个所需刻蚀沟槽的刻蚀精确度。
主权项:1.一种提高碳化硅沟槽刻蚀精度的刻蚀装置,包括处理箱(1),所述处理箱(1)上端连接有用于引入刻蚀气体(22)的进气管(5),其特征在于,所述处理箱(1)内部上端安装有气体导入系统(2),所述气体导入系统(2)包括安装在处理箱(1)内部上端的混均气箱(21),所述混均气箱(21)上端与进气管(5)连通,所述混均气箱(21)下端连接有与阵列设置的沟槽对应的导管一(23),所述导管一(23)下端连接有均压箱(3),所述均压箱(3)下端连接有导管二(25),所述导管二(25)下端连接有矩形的刻蚀气流罩(26),所述刻蚀气流罩(26)的四个侧壁均安装有气体抽吸系统(6)。
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