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申请/专利权人：恒泰柯半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制备方法。该碳化硅功率器件包括：多个呈阵列排布的沟槽栅极，相邻两所述沟槽栅极之间包括沿第一方向和或第二方向排布的工作区和非工作区；衬底；设置于所述衬底的一侧表面的第一外延层；设置于所述第一外延层远离所述衬底的一侧表面的第二外延层；所述第二外延层包括体区；位于所述工作区的所述体区与位于所述非工作区的所述体区为一体结构；在所述工作区中，所述第二外延层包括有源区；在所述非工作区中，所述第二外延层包括源极接触区；有源区的掺杂类型与源极接触区的掺杂类型相反；其中，所述源极接触区用于使所述体区与源极实现电连接。本发明实施例的技术方案可进一步缩小碳化硅功率器件的元胞尺寸。
主权项：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：多个呈阵列排布的沟槽栅极，相邻两所述沟槽栅极之间包括沿第一方向和或第二方向排布的工作区和非工作区，所述第一方向与所述第二方向垂直；衬底；第一外延层，设置于所述衬底的一侧表面；第二外延层，设置于所述第一外延层远离所述衬底的一侧表面；其中，所述沟槽栅极由所述第二外延层远离所述第一外延层的一侧表面延伸至所述第一外延层的内部；所述第二外延层包括体区；位于所述工作区的所述体区与位于所述非工作区的所述体区为一体结构；在所述工作区中，所述第二外延层包括设置于所述体区远离所述第一外延层的一侧表面的有源区；在所述非工作区中，所述第二外延层包括设置于所述体区远离所述第一外延层的一侧表面的源极接触区；所述有源区的掺杂类型与所述源极接触区的掺杂类型相反；其中，所述源极接触区用于使所述体区与源极实现电连接，所述工作区中未设置所述源极接触区。
全文数据：
权利要求：
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