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一种碳化硅晶体生长装置 

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申请/专利权人:幂指科技(北京)有限公司

摘要:本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置,包括坩埚,坩埚内部设置有加厚段,坩埚的中部均设置有中间凸起部,中间凸起部的底部向上开设有加热槽,坩埚的外侧设置有保温桶,保温桶的外侧设置有防护外壳,保温桶和坩埚之间设置有加热腔,加热腔的底部配合加热槽设置有底部加热器,且配合坩埚设置有升降支撑结构,加热腔的侧边设置有感应加热管,感应加热管的盘绕口径由上到下逐渐减小,坩埚的顶部设置有开口,开口处可升降设置有籽晶杆,籽晶杆的底部设置有籽晶体,本实用新型可以实现坩埚加热温度的调节,同时可以提高碳源的供给均匀性,同时可以避免坩埚被蚀穿的情况。

主权项:1.一种碳化硅晶体生长装置,包括坩埚(1),其特征是:所述坩埚(1)内部设置有加厚段(2),所述坩埚(1)的中部均设置有中间凸起部(3),所述中间凸起部(3)的底部向上开设有加热槽(4),所述坩埚(1)的外侧设置有保温桶(5),所述保温桶(5)的外侧设置有防护外壳(6),所述保温桶(5)和坩埚(1)之间设置有加热腔(7),所述加热腔(7)的底部配合加热槽(4)设置有底部加热器(8),且配合坩埚(1)设置有升降支撑结构,所述加热腔(7)的侧边设置有感应加热管(9),所述感应加热管(9)的盘绕口径由上到下逐渐减小,所述坩埚(1)的顶部设置有开口(10),所述开口(10)处可升降设置有籽晶杆(11),所述籽晶杆(11)的底部设置有籽晶体(12)。

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权利要求:

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